在半導(dǎo)體制造中，硅晶圓要經(jīng)過(guò)擴(kuò)散、氧化、沉積等各種高溫工藝。零件通常放置在陶瓷支架（稱為“晶圓”）中，并在高達(dá) 1473K 的溫度下進(jìn)行處理。類似的陶瓷也用于晶圓的等離子蝕刻。這些晶圓在加工過(guò)程中會(huì)被污染，因此需要清洗。

由于晶圓固定槽的深度和間距窄，使用常規(guī)方法（例如硬顆粒處理等）清潔受污染的晶圓舟是不可行的。采用兩步法清洗污染晶圓，克服了傳統(tǒng)清洗方法的不足。在該方法中，強(qiáng)酸化學(xué)洗脫步驟與 CO2 顆粒清潔步驟相結(jié)合。該工藝使新晶舟和舊晶舟的顆粒污染小于0.4個(gè)顆粒，表面金屬污染物的質(zhì)量分?jǐn)?shù)在10nm深度范圍內(nèi)。該方法可用于半導(dǎo)體加工中各種陶瓷和非陶瓷元件的清洗。

事實(shí)證明，CO2 顆粒清潔可以成功清潔各種受污染的半導(dǎo)體加工設(shè)備部件，包括波紋管、金屬和聚合物閥門、轉(zhuǎn)移板、鋁蝕刻屏蔽、石英襯里和氮化物端板。通常，使用 CO2 顆?？稍?5-20 分鐘內(nèi)清潔閥門組件中的零件，而手動(dòng)清潔則需要 2 小時(shí)或更長(zhǎng)時(shí)間。 CO2 清潔減少了溶劑和酸的使用并縮短了清潔時(shí)間，從而降低了運(yùn)營(yíng)成本和工人接觸危險(xiǎn)化學(xué)品的機(jī)會(huì)。