長(zhǎng)期以來(lái),分子級(jí)清潔方法一直用于去除晶圓生產(chǎn)過(guò)程各個(gè)階段的污染物,并且是確保高產(chǎn)量的絕對(duì)必要條件。高產(chǎn)(晶圓)引線鍵合只有在鍵合表面干凈的情況下才有可能。
90 年代之前,幾乎沒(méi)有考慮專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于提高焊線良率和可靠性的清潔步驟?,F(xiàn)代的ULSI(Ultra Large Scale Integration,超大規(guī)模集成)器件擁有數(shù)十萬(wàn)個(gè)IO和焊線點(diǎn),必須滿足早年難以想象的封裝良率和可靠性要求。
由于每個(gè)芯片引線鍵合(和其他互連方法)已成為提高封裝良率的大驅(qū)動(dòng)力。
然而,現(xiàn)代的鍵合焊盤(pán)金屬層普遍比過(guò)去更硬,金屬層中可能包含各種添加劑,晶圓的反應(yīng)離子處理在表面留下鹵素和碳膜,所有這些都可能限制引線鍵合率,抑制粘合性,并影響可靠性。
由于芯片的生產(chǎn)工藝繁瑣,供應(yīng)來(lái)源多樣,有時(shí)芯片的長(zhǎng)期存放和裸芯片鍵合過(guò)程中使用的聚合物/環(huán)氧樹(shù)脂的污染,在高可靠性 MCM/SIP/混合電路行業(yè) 在鍵合前使用分子級(jí)清洗方法,此方法已擴(kuò)展到其他封裝領(lǐng)域,有時(shí)用于大批量 IC 封裝。