隨著片外速度的提高和鍵合間距的減小，引線鍵合的電感和串?dāng)_限制了其應(yīng)用。同時(shí)，引線鍵合的互連不能滿足一些硅芯片的高密度要求。

隨著芯片功率的增加、工作電壓的降低（低至1V）和間距的縮小，焊線無法承載所需的電流。

一些預(yù)測(cè)表明，單個(gè)高性能芯片將消耗超過 100A 的電流，這需要數(shù)百個(gè) 25um 焊線來分擔(dān)其功率。此外，隨著IO（輸入/輸出焊盤間距的縮短和外圍焊盤數(shù)量的增加，在某些時(shí)候，面陣列焊盤將需要互連。在單排外圍按鍵中的鍵合pad，接近的鍵合間距（在高鍵合良率和足夠的載流能力下）可以達(dá)到20~25um。

使用現(xiàn)代自動(dòng)鍵合機(jī)可以實(shí)現(xiàn)超過4um深的多排鍵合，稱為區(qū)域陣列鍵合（area array bonding） bonding），但它的串?dāng)_會(huì)限制性能。

在某些時(shí)候，解決未來的I/O互連限制將需要倒裝芯片（C4微焊球和導(dǎo)電聚合物等）或一些未被發(fā)現(xiàn)的技術(shù)變革。引人注目的引線鍵合替代方案是一些基于倒裝芯片互連的演進(jìn)技術(shù)。