半導(dǎo)體器件制造涉及蝕刻光刻膠以在基板上獲得所需圖案。傳統(tǒng)的去污方法使用高活性化學(xué)品去除蝕刻后殘留物，然后通過(guò)多個(gè)工藝步驟進(jìn)行去污和干燥。這不是一個(gè)環(huán)境友好的過(guò)程，需要大量的有毒和腐蝕性化學(xué)品，使用后必須進(jìn)行處理。

為了克服這些缺點(diǎn)，提出了一種新的半導(dǎo)體襯底去污方法。它使用基于離子液體的去污溶液組合物去除光刻膠，同時(shí)從基材上去除有機(jī)和無(wú)機(jī)化合物，包括蝕刻和漂洗后殘留物。離子液體對(duì)這些殘留物的高溶解度有利于強(qiáng)化去污過(guò)程，因?yàn)橹恍枋褂蒙倭恳后w即可達(dá)到特定的清潔度。

去污方法需要將半導(dǎo)體襯底（晶片或集成電路）的受污染表面與含有咪唑、吡啶、銨或膦陽(yáng)離子以及各種鹵化物、有機(jī)和無(wú)機(jī)陰離子的離子液體接觸（通過(guò)浸漬或噴涂），溫度為293～343K，接觸時(shí)間30s-30min，視洗滌劑成分而定。離子液體可以不經(jīng)稀釋或用其他極性溶劑稀釋后使用。

該工藝可將4nm以下的微量殘留污染物去除至5×10-8的檢出限以下。由于較低的化學(xué)濃度和顯著縮短的適用期，可以使用更多的活性化學(xué)成分進(jìn)行精確控制，從而減少化學(xué)品消耗。在新型半導(dǎo)體材料中應(yīng)用更多新型化學(xué)試劑，顯著減少或取消一些去污和干燥步驟。這種去污工藝和相應(yīng)的化學(xué)試劑也可以應(yīng)用于納米技術(shù)裝備制造和生物技術(shù)領(lǐng)域。